氮化硅的无卤蚀刻

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480027481.7

申请日：

2024-05-16

公开(公告)号：

CN121100396A

公开(公告)日：

2025-12-09

发明(设计)人：

罗志仁金政焕符谦 A·S·巴加尔

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/311

IPC分类号：

H01J37/32

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

张瑞琪;侯颖媖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-09	公开	公开
2025-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/311申请日:20240516

共 50 条

[1]

氮化硅的选择性蚀刻 [P].

Z·陈 ;

Z·李 ;

A·王 ;

N·K·英格尔 ;

S·文卡特拉曼 .

中国专利 :CN105580118B ,2016-05-11

[2]

氮化硅蚀刻方法 [P].

廖军 ;

张志敏 .

中国专利 :CN114050107B ,2022-02-15

[3]

去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法 [P].

黄敬勇 ;

钟鑫生 ;

朱海波 ;

方文强 .

中国专利 :CN101587836A ,2009-11-25

[4]

选择性蚀刻氮化硅的方法 [P].

杨玮盈 ;

高德丰 ;

约翰·苏迪约诺 ;

米哈伊尔·科里奥克 ;

保罗·E·吉 ;

蔡泰正 ;

菲利普·A·克劳斯 .

美国专利 :CN120981898A ,2025-11-18

[5]

氮化硅的选择性蚀刻 [P].

卢欣亮 ;

杨海春 ;

葛振宾 ;

卢楠 ;

戴维·T·奥 ;

希恩-坦恩·卡欧 ;

梅·常 .

中国专利 :CN102160154A ,2011-08-17

[6]

氮化硅膜的蚀刻组合物 [P].

李锡浩 ;

宋定桓 ;

全成植 ;

赵诚一 ;

金炳卓 ;

韩挪 ;

林娥铉 ;

李浚宇 ;

李鍲根 ;

金俊源 .

中国专利 :CN109913221A ,2019-06-21

[7]

低湿蚀刻速率的氮化硅膜 [P].

赫门特·P·芒吉卡 ;

吴璟 ;

杨·S·李 ;

王安川 .

中国专利 :CN101981225A ,2011-02-23

[8]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

李斗元 ;

曺长佑 ;

李明镐 ;

宋明根 .

中国专利 :CN110628435B ,2019-12-31

[9]

氮化硅膜蚀刻溶液 [P].

柳浩成 ;

韩承弦 ;

张郁 ;

金允澈 .

中国专利 :CN107573940A ,2018-01-12

[10]

选择性蚀刻氮化硅的方法 [P].

多琳·玮盈·杨 ;

高德丰 ;

米哈伊尔·科里奥克 ;

约翰·苏迪约诺 ;

保罗·E·吉 .

美国专利 :CN120981897A ,2025-11-18

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