用于化学汽相淀积的有机金属化合物及其制造方法,钌膜及钌化合物膜的化学汽相淀积法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01135444.5

申请日：

2001-09-28

公开(公告)号：

CN1185241C

公开(公告)日：

2002-07-10

发明(设计)人：

冈本浩治

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C07F1500

IPC分类号：

C23C1618

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

周承泽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-01-19	授权	授权
2002-07-10	公开	公开
2016-11-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101687371278 IPC(主分类):C07F 15/00 专利号:ZL011354445 申请日:20010928 授权公告日:20050119 终止日期:20150928
2002-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

化学汽相淀积法制膜技术及制膜设备 [P].

来田勝继 ;

斋藤昌幸 .

中国专利 :CN1410589A ,2003-04-16

[2]

淀积金属化合物层的方法和用于淀积金属化合物层的设备 [P].

徐廷勳 ;

朴泳旭 ;

洪镇基 ;

具京范 ;

李殷泽 .

中国专利 :CN1789487A ,2006-06-21

[3]

一种有机金属化合物气相淀积系统 [P].

李冰妍 .

中国专利 :CN215976032U ,2022-03-08

[4]

化学汽相淀积装置的净化方法 [P].

长谷川博之 ;

山冈智则 ;

石原良夫 ;

增崎宏 ;

佐藤贵之 ;

铃木克昌 ;

德永裕树 .

中国专利 :CN1497061A ,2004-05-19

[5]

化学气相沉积用的有机钌化合物及使用该有机钌化合物的化学气相沉积方法 [P].

谷内淳一 ;

斋藤昌幸 ;

石田稔 .

中国专利 :CN101356181A ,2009-01-28

[6]

淀积碳的微波增强化学汽相淀积(CVD)方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN88101061A ,1988-09-07

[7]

有机金属铜络合物的铜薄膜的化学汽相淀积制备法 [P].

角田巧 ;

高井勉 ;

绵贯耕平 .

中国专利 :CN1363720A ,2002-08-14

[8]

用于化学相沉积的有机金属化合物 [P].

拉杰斯·奥德拉 ;

库尼海·唐 ;

肖恩·塞姆贝拉 .

中国专利 :CN107614508A ,2018-01-19

[9]

一种线列式有机金属化合物气相淀积系统 [P].

崔军 ;

吴国发 ;

杨武斌 ;

辛科 ;

王奇 .

中国专利 :CN202246847U ,2012-05-30

[10]

化学汽相淀积涂层切削刀片及其制造方法 [P].

R.库珀 ;

P.莱克特 ;

Y.刘 ;

Z.刘 .

中国专利 :CN106065448A ,2016-11-02

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