一种碳化硅晶片的抛光工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810466636.3

申请日：

2018-05-16

公开(公告)号：

CN108555700A

公开(公告)日：

2018-09-21

发明(设计)人：

林武庆张洁赖柏帆陈文鹏

申请人：

申请人地址：

362211 福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦

IPC主分类号：

B24B100

IPC分类号：

B24B4100

代理机构：

北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人：

汤东凤

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B24B 1/00 申请公布日:20180921
2018-09-21	公开	公开
2018-10-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 1/00 申请日:20180516

共 50 条

[1]

碳化硅晶片抛光设备 [P].

张学良 ;

袁巨龙 ;

邓乾发 ;

杭伟 ;

王佳焕 .

中国专利 :CN115502870A ,2022-12-23

[2]

碳化硅晶片抛光设备 [P].

张学良 ;

袁巨龙 ;

邓乾发 ;

杭伟 ;

王佳焕 .

中国专利 :CN115502870B ,2025-04-29

[3]

一种碳化硅晶片抛光工艺转运用装置 [P].

李有群 ;

章磊 ;

贺贤汉 ;

陈辉 ;

孙大方 .

中国专利 :CN217194366U ,2022-08-16

[4]

一种碳化硅晶片抛光工艺转运用装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

夏建白 ;

李京波 .

中国专利 :CN212332677U ,2021-01-12

[5]

碳化硅晶片的抛光方法 [P].

蔡子萱 ;

施英汝 ;

杨咏皓 ;

吴伟立 .

中国专利 :CN114388347B ,2025-08-12

[6]

碳化硅晶片的抛光方法 [P].

蔡子萱 ;

施英汝 ;

杨咏皓 ;

吴伟立 .

中国专利 :CN114388347A ,2022-04-22

[7]

一种碳化硅晶片的双面抛光方法 [P].

詹琳 .

中国专利 :CN105666300A ,2016-06-15

[8]

一种用于碳化硅晶片的抛光设备 [P].

丁劲锋 ;

刘念 ;

莫玲莹 ;

覃发超 ;

华鸣峰 .

中国专利 :CN119175639A ,2024-12-24

[9]

一种用于碳化硅晶片的抛光设备 [P].

丁劲锋 ;

刘念 ;

莫玲莹 ;

覃发超 ;

华鸣峰 .

中国专利 :CN119175639B ,2025-08-01

[10]

一种碳化硅晶片抛光温控的方法和装置 [P].

林武庆 ;

张洁 ;

赖柏帆 ;

陈文鹏 .

中国专利 :CN108500825A ,2018-09-07

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