一种制造半导体瀑布式蚀刻机

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202023110810.2

申请日：

2020-12-22

公开(公告)号：

CN214327560U

公开(公告)日：

2021-10-01

发明(设计)人：

卢炎崔柏伟陈叶娣刘东庭董何建晁睿

申请人：

申请人地址：

213164 江苏省常州市武进区鸣新中路26号

IPC主分类号：

C03C1500

IPC分类号：

B08B1104

代理机构：

大连理工大学专利中心 21200

代理人：

戴风友;梅洪玉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-01	授权	授权

共 50 条

[1]

蚀刻机（瀑布式） [P].

卢炎 ;

崔柏伟 ;

陈叶娣 ;

刘东庭 ;

董何建 ;

晁睿 .

中国专利 :CN306621172S ,2021-06-18

[2]

一种半导体蚀刻设备 [P].

张霖芝 ;

眭朝萍 ;

田帅 .

中国专利 :CN218447833U ,2023-02-03

[3]

一种具有烘干功能的半导体蚀刻机 [P].

刘超超 ;

高娟 .

中国专利 :CN216084810U ,2022-03-18

[4]

一种半导体芯片制造用蚀刻装置 [P].

余祥林 ;

李鸿磊 ;

吴娉婷 .

中国专利 :CN120613295A ,2025-09-09

[5]

一种连续式半导体蚀刻设备 [P].

廖海涛 .

中国专利 :CN212412002U ,2021-01-26

[6]

半导体蚀刻机用蚀刻头结构 [P].

万琳旭 .

中国专利 :CN221827843U ,2024-10-11

[7]

一种半导体硅环蚀刻装置 [P].

王武林 .

中国专利 :CN209357698U ,2019-09-06

[8]

一种半导体元器件蚀刻装置 [P].

李建立 ;

陈仁华 ;

聂国勇 .

中国专利 :CN216957959U ,2022-07-12

[9]

一种半导体硅环蚀刻装置 [P].

张现军 ;

游娜 ;

覃庆良 ;

王明甲 ;

秦浩华 .

中国专利 :CN207993824U ,2018-10-19

[10]

一种半导体硅片蚀刻装置 [P].

刘婷婷 .

中国专利 :CN111916377A ,2020-11-10

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