氮化镓衬底材料制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110171023.5

申请日：

2011-06-23

公开(公告)号：

CN102280533A

公开(公告)日：

2011-12-14

发明(设计)人：

张汝京

申请人：

申请人地址：

710100 陕西省西安市国家民用航天产业基地工业二路55号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101634623635 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011101710235 申请公布日:20111214
2012-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101177113735 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011101710235 申请日:20110623
2011-12-14	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN115233309B ,2024-01-12

[2]

氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法 [P].

八乡昭广 .

中国专利 :CN100580909C ,2007-09-19

[3]

氮化镓衬底材料的制造方法 [P].

张汝京 .

中国专利 :CN102222738A ,2011-10-19

[4]

制造氮化镓衬底的方法 [P].

金美贤 ;

姜三默 ;

金峻渊 ;

卓泳助 ;

朴永洙 .

中国专利 :CN107978659A ,2018-05-01

[5]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264A ,2022-08-12

[6]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264B ,2024-03-05

[7]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN106536794B ,2017-03-22

[8]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN106574398B ,2017-04-19

[9]

氮化镓衬底 [P].

八乡昭广 .

中国专利 :CN102031564A ,2011-04-27

[10]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN110042471B ,2019-07-23

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