一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010273166.2

申请日：

2010-09-06

公开(公告)号：

CN101969089A

公开(公告)日：

2011-02-09

发明(设计)人：

潘群峰吴志强黄少华

申请人：

申请人地址：

361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721－1725号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

厦门原创专利事务所 35101

代理人：

徐东峰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-09	公开	公开
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101059706893 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2010102731662 申请日:20100906
2011-10-12	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 [P].

郭恩卿 ;

伊晓燕 ;

汪炼成 ;

孙波 ;

王国宏 .

中国专利 :CN102214743A ,2011-10-12

[2]

氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管 [P].

王强 ;

王磊 ;

李国琪 ;

涂招莲 ;

巩春梅 .

中国专利 :CN104425662A ,2015-03-18

[3]

氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王孟源 ;

陈国聪 .

中国专利 :CN101604715A ,2009-12-16

[4]

氮化镓基发光二极管 [P].

潘群峰 ;

吴志强 ;

林科闯 .

中国专利 :CN101494266A ,2009-07-29

[5]

一种具有电流阻挡层的氮化镓基垂直结构发光二极管及其制作方法 [P].

龚平 ;

吴旗召 .

中国专利 :CN111261762A ,2020-06-09

[6]

氮化镓基发光二极管及其制作方法 [P].

欧毅德 ;

尹灵峰 ;

刘传桂 ;

林素慧 .

中国专利 :CN102420279A ,2012-04-18

[7]

氮化镓基发光二极管 [P].

邓小强 ;

张建宝 .

中国专利 :CN203367342U ,2013-12-25

[8]

倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 [P].

李丙乾 ;

张书明 ;

杨辉 .

中国专利 :CN1780002A ,2006-05-31

[9]

氮化镓基发光二极管管芯的制作方法 [P].

张书明 ;

杨辉 .

中国专利 :CN1307729C ,2004-09-22

[10]

一种氮化镓基发光二极管的制作方法 [P].

徐平 ;

许亚兵 ;

张小球 .

中国专利 :CN115332406B ,2024-11-22

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