等离子体腔室及等离子体加工设备

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专利类型
发明
申请号
CN201710137713.6
申请日
2017-03-09
公开(公告)号
CN108573846A
公开(公告)日
2018-09-25
发明(设计)人
肖德志
申请人
申请人地址
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
H01J3732
IPC分类号
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
彭瑞欣;张天舒
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
等离子体产生装置及等离子体加工设备 [P]. 
杨靖 ;
刘涛 ;
乐卫平 ;
宋成 ;
张文杰 ;
谢幸光 .
中国专利 :CN222776358U ,2025-04-18
[2]
等离子体腔体组件及等离子体设备 [P]. 
黄春林 ;
刘文科 ;
胡宗义 ;
李东亚 ;
李俊宏 .
中国专利 :CN220420525U ,2024-01-30
[3]
壳体组件、等离子体产生装置及等离子体加工设备 [P]. 
杨靖 ;
刘涛 ;
乐卫平 ;
宋成 ;
张文杰 ;
谢幸光 .
中国专利 :CN222914726U ,2025-05-27
[4]
上电极系统、等离子体腔室及等离子体产生方法 [P]. 
刘春明 .
中国专利 :CN110536533A ,2019-12-03
[5]
等离子体腔室及半导体加工设备 [P]. 
贾强 ;
郭浩 .
中国专利 :CN109755089A ,2019-05-14
[6]
等离子体腔室衬垫 [P]. 
埃里克·克哈雷·施诺 .
中国专利 :CN304826204S ,2018-09-21
[7]
等离子体腔室衬垫 [P]. 
埃里克·克哈雷·施诺 .
中国专利 :CN304826182S ,2018-09-21
[8]
利用可调等离子体电势的可变模式等离子体腔室 [P]. 
S·E·萨瓦 ;
马绍铭 .
中国专利 :CN112640027B ,2021-04-09
[9]
等离子体头及等离子体产生装置 [P]. 
佐野裕贵 ;
池户俊之 ;
岩田卓也 .
日本专利 :CN119054416A ,2024-11-29
[10]
等离子体加工设备 [P]. 
张小昂 .
中国专利 :CN102243976A ,2011-11-16