上电极系统、等离子体腔室及等离子体产生方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810581337.4

申请日：

2018-06-07

公开(公告)号：

CN110536533A

公开(公告)日：

2019-12-03

发明(设计)人：

刘春明

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H05H146

IPC分类号：

代理机构：

北京思创毕升专利事务所 11218

代理人：

孙向民;廉莉莉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H05H 1/46 申请日:20180607
2019-12-03	公开	公开
2022-06-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H05H 1/46 申请公布日:20191203

共 50 条

[1]

等离子体腔室及等离子体加工设备 [P].

肖德志 .

中国专利 :CN108573846A ,2018-09-25

[2]

等离子体产生装置及等离子体产生方法 [P].

熊谷裕典 ;

今井伸一 .

中国专利 :CN103429539A ,2013-12-04

[3]

等离子体产生装置以及等离子体产生方法 [P].

岩田卓也 ;

池户俊之 .

日本专利 :CN117596763A ,2024-02-23

[4]

等离子体头及等离子体产生装置 [P].

佐野裕贵 ;

池户俊之 ;

岩田卓也 .

日本专利 :CN119054416A ,2024-11-29

[5]

等离子体产生装置及等离子体处理方法 [P].

岩田卓也 .

中国专利 :CN114586473A ,2022-06-03

[6]

等离子体产生装置及等离子体处理方法 [P].

岩田卓也 .

日本专利 :CN114586473B ,2025-02-18

[7]

等离子体产生装置及等离子体照射方法 [P].

神藤高广 ;

池户俊之 .

中国专利 :CN109565921A ,2019-04-02

[8]

等离子体发生装置及等离子体产生方法 [P].

岩田卓也 ;

土田纮佑 .

日本专利 :CN117677019A ,2024-03-08

[9]

等离子体产生系统 [P].

神藤高广 ;

池户俊之 .

中国专利 :CN110463354B ,2019-11-15

[10]

微波等离子体产生室 [P].

M·哈默尔 .

中国专利 :CN107926107B ,2018-04-17

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