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等离子体发生装置及等离子体产生方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311114185.4
申请日：
2023-08-31
公开(公告)号：
CN117677019A
公开(公告)日：
2024-03-08
发明(设计)人：
岩田卓也 土田纮佑
申请人：
株式会社富士
申请人地址：
日本爱知县知立市
IPC主分类号：
H05H1/52
IPC分类号：
H05H1/34
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人：
杨青;安翔
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-03-08 公开 公开
2024-03-26 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H05H 1/52申请日:20230831
共 50 条
[1]
等离子体产生装置及等离子体产生方法 [P]. 
熊谷裕典 ;
今井伸一 .
中国专利 :CN103429539A ,2013-12-04
[2]
等离子体产生装置以及等离子体产生方法 [P]. 
岩田卓也 ;
池户俊之 .
日本专利 :CN117596763A ,2024-02-23
[3]
等离子体产生装置及等离子体处理方法 [P]. 
岩田卓也 .
中国专利 :CN114586473A ,2022-06-03
[4]
等离子体产生装置及等离子体处理方法 [P]. 
岩田卓也 .
日本专利 :CN114586473B ,2025-02-18
[5]
等离子体发生装置及等离子体处理方法 [P]. 
池户俊之 ;
岩田卓也 ;
白木聪一 .
中国专利 :CN114430935A ,2022-05-03
[6]
等离子体发生器及等离子体产生方法 [P]. 
宫本诚 ;
竹之下一利 ;
熊谷悠纪 ;
中山阳子 ;
野岛秀雄 .
中国专利 :CN103492064A ,2014-01-01
[7]
等离子体产生装置 [P]. 
日下航 .
中国专利 :CN110419268A ,2019-11-05
[8]
等离子体头及等离子体产生装置 [P]. 
佐野裕贵 ;
池户俊之 ;
岩田卓也 .
日本专利 :CN119054416A ,2024-11-29
[9]
等离子体产生装置及等离子体照射方法 [P]. 
神藤高广 ;
池户俊之 .
中国专利 :CN109565921A ,2019-04-02
[10]
等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P]. 
三浦繁博 ;
加藤寿 ;
佐藤润 ;
中坪敏行 ;
菊地宏之 .
中国专利 :CN105097459A ,2015-11-25
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