绝缘层蚀刻剂组合物和使用其形成图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811381934.9

申请日：

2018-11-20

公开(公告)号：

CN109841511A

公开(公告)日：

2019-06-04

发明(设计)人：

金正桓李恩姃金炳默金泰熙李承傭崔汉永

申请人：

申请人地址：

韩国全罗北道

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

代理机构：

北京市中伦律师事务所 11410

代理人：

杨黎峰;钟锦舜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20181120
2019-06-04	公开	公开

共 50 条

[41]

用于蚀刻导电多层膜的蚀刻剂组合物和使用其的蚀刻方法 [P].

徐宗铉 .

中国专利 :CN102409342B ,2012-04-11

[42]

抗蚀剂底层组合物和使用组合物形成图案的方法 [P].

崔有廷 ;

金圣振 ;

白载烈 ;

阵和英 ;

权纯亨 .

韩国专利 :CN117590687A ,2024-02-23

[43]

抗蚀剂底层组合物和使用组合物形成图案的方法 [P].

崔有廷 ;

曹雅罗 ;

郑盛宇 ;

阵和英 ;

金圣振 ;

李恩受 ;

黄丙奎 .

韩国专利 :CN120909060A ,2025-11-07

[44]

蚀刻剂组合物、形成金属线图案方法和制造阵列基板方法 [P].

刘仁浩 ;

鞠仁说 ;

南基龙 ;

尹暎晋 .

中国专利 :CN106148961A ,2016-11-23

[45]

绝缘层用组合物 [P].

矢作公 .

中国专利 :CN102076776A ,2011-05-25

[46]

用于蚀刻铟锡氧化物层的蚀刻剂组合物及用其蚀刻的方法 [P].

金南绪 ;

姜东浒 ;

曺三永 ;

李骐范 .

中国专利 :CN101497793A ,2009-08-05

[47]

硅层刻蚀剂组合物、制备其的方法及形成图案的方法 [P].

全唱守 ;

吴政玟 ;

李晓山 ;

韩勋 ;

鲁珍圭 ;

尹嚆重 ;

申东雲 .

中国专利 :CN111410963A ,2020-07-14

[48]

蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法 [P].

李轸雨 ;

金建伶 ;

韩勋 ;

林廷训 ;

李珍旭 ;

朴宰完 .

中国专利 :CN108102654A ,2018-06-01

[49]

蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法 [P].

郑钟铉 ;

朴弘植 ;

梁熙星 ;

金奎佈 ;

申贤哲 ;

李秉雄 ;

李相赫 ;

李大雨 .

中国专利 :CN109097774B ,2018-12-28

[50]

蚀刻剂组合物及使用其制造金属图案和薄膜晶体管衬底的方法 [P].

梁熙星 ;

朴弘植 ;

郑锺鉉 ;

金相佑 ;

李大雨 .

中国专利 :CN109423648B ,2019-03-05

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