一种用于GaN单晶衬底的表面抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310047961.3

申请日：

2013-02-06

公开(公告)号：

CN103114323B

公开(公告)日：

2013-05-22

发明(设计)人：

王斌于广辉赵智德徐伟隋妍萍

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室

IPC主分类号：

C25F312

IPC分类号：

C25F330 B24B3710 C30B3300 C30B3310

代理机构：

上海泰能知识产权代理事务所 31233

代理人：

黄志达

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-25	授权	授权
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101494923899 IPC(主分类):C25F 3/12 专利申请号:2013100479613 申请日:20130206
2018-03-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25F 3/12 申请日:20130206 授权公告日:20160525 终止日期:20170206
2015-05-13	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101715210808 IPC(主分类):C25F 3/12 专利申请号:2013100479613 变更事项:发明人变更前:王斌变更后:王斌;于广辉;赵智德;徐伟;隋妍萍
2013-05-22	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN单晶衬底和GaN单晶衬底的表面加工方法 [P].

郑镇石 ;

李基秀 ;

金京俊 ;

李柱宪 ;

秦昌旭 .

中国专利 :CN101174597A ,2008-05-07

[2]

制备单晶GaN衬底的方法及单晶GaN衬底 [P].

笠井仁 ;

元木健作 .

中国专利 :CN1670918A ,2005-09-21

[3]

GaN单晶衬底以及GaN单晶衬底的制造方法 [P].

大岛佑一 ;

柴田真佐知 .

中国专利 :CN101404248B ,2009-04-08

[4]

一种用于氮化镓单晶衬底的研磨抛光方法 [P].

黄子杰 ;

张锐华 ;

颜建锋 ;

庄文荣 .

中国专利 :CN121018288A ,2025-11-28

[5]

一种用于抛光衬底的抛光部件 [P].

P·D·巴特菲尔德 ;

L－Y·陈 ;

Y·胡 ;

A·P·曼那斯 ;

R·马伍利乌 ;

S·D·蔡 ;

F·Q·刘 ;

R·威登斯维勒 .

中国专利 :CN2730554Y ,2005-10-05

[6]

一种GaN单晶衬底的制备方法 [P].

范谦 ;

顾星 ;

倪贤锋 .

中国专利 :CN117552111A ,2024-02-13

[7]

一种GaN单晶衬底的制备方法 [P].

范谦 ;

顾星 ;

倪贤锋 .

中国专利 :CN117552111B ,2024-08-13

[8]

一种GaN单晶衬底的制备方法 [P].

刘南柳 ;

姜永京 ;

王琦 ;

徐忱文 ;

张国义 .

中国专利 :CN110616462A ,2019-12-27

[9]

一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法 [P].

王斌 ;

于广辉 ;

赵志德 ;

徐伟 ;

张燕辉 ;

陈志蓥 ;

隋妍萍 .

中国专利 :CN103928583A ,2014-07-16

[10]

一种减少GaN单晶衬底裂纹以及表面损伤层的制备方法 [P].

俞娇仙 ;

李秋波 ;

张雷 ;

马景云 ;

王守志 ;

王国栋 ;

刘光霞 .

中国专利 :CN115565874A ,2023-01-03

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