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一种基于二维材料晶体管的阶梯电极结构及其制备方法

被引：0
申请号：
CN202111624267.4
申请日：
2021-12-28
公开(公告)号：
CN114284352A
公开(公告)日：
2022-04-05
发明(设计)人：
蔡斐
申请人：
申请人地址：
230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
IPC主分类号：
H01L29417
IPC分类号：
H01L2945 H01L29786 H01L2144
代理机构：
安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112
代理人：
余成俊
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-04-05 公开 公开
2022-04-22 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/417 申请日:20211228
共 50 条
[1]
基于二维半导体材料的双极性晶体管的制备方法 [P]. 
周鹏 ;
刘春森 ;
张卫 .
中国专利 :CN107611034A ,2018-01-19
[2]
一种二维材料晶体管结构及其制备方法 [P]. 
杨雅芬 ;
朱颢 ;
张卫 .
中国专利 :CN115332358A ,2022-11-11
[3]
一种基于二维半导体材料的突触晶体管及其制备方法 [P]. 
杨玉超 ;
朱嘉迪 ;
黄如 .
中国专利 :CN109473549A ,2019-03-15
[4]
一种二维半导体材料晶体管及其制备方法 [P]. 
彭雅琳 ;
张广宇 ;
杨蓉 ;
杨威 ;
时东霞 .
中国专利 :CN115621322A ,2023-01-17
[5]
一种基于二维半导体材料薄膜晶体管 [P]. 
赵天石 ;
赵春 ;
赵策洲 ;
杨莉 ;
于水长 .
中国专利 :CN209747517U ,2019-12-06
[6]
二维材料场效应晶体管的制备方法 [P]. 
李绍娟 .
中国专利 :CN110783179A ,2020-02-11
[7]
一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法 [P]. 
包文中 ;
马静怡 ;
郭晓娇 ;
童领 ;
陈新宇 ;
缑赛飞 ;
周鹏 ;
张卫 .
中国专利 :CN112635565A ,2021-04-09
[8]
一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法 [P]. 
包文中 ;
马静怡 ;
郭晓娇 ;
童领 ;
陈新宇 ;
缑赛飞 ;
周鹏 ;
张卫 .
中国专利 :CN112635565B ,2025-02-07
[9]
一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
赵天石 ;
赵春 ;
赵策洲 ;
杨莉 ;
于水长 .
中国专利 :CN110047915B ,2024-05-03
[10]
一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
赵天石 ;
赵春 ;
赵策洲 ;
杨莉 ;
于水长 .
中国专利 :CN110047915A ,2019-07-23
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