半导体结构及其制备方法

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申请号
CN202210800046.6
申请日
2022-07-08
公开(公告)号
CN115101472A
公开(公告)日
2022-09-23
发明(设计)人
曾以志
申请人
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L27108 H01L218242
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
成亚婷
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
郭帅 .
中国专利 :CN116133391B ,2025-05-30
[2]
半导体结构及其制备方法、半导体装置 [P]. 
潘俊波 ;
梁添 ;
张雯 .
中国专利 :CN115116968A ,2022-09-27
[3]
半导体结构及其制备方法、半导体装置 [P]. 
潘俊波 ;
梁添 ;
张雯 .
中国专利 :CN115116967A ,2022-09-27
[4]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
尤康 ;
白杰 .
中国专利 :CN115623790B ,2025-11-21
[5]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
邵光速 ;
肖德元 ;
白卫平 ;
邱云松 .
中国专利 :CN116133381B ,2025-10-21
[6]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
尤康 ;
白杰 .
中国专利 :CN115623790A ,2023-01-17
[7]
半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
张旭 ;
储郁冬 ;
陆琦 ;
赵天楚 .
中国专利 :CN118866807A ,2024-10-29
[8]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
李燕 ;
宋富冉 ;
苏烁洋 ;
周儒领 .
中国专利 :CN120187084B ,2025-08-19
[9]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
孙亚楠 ;
崔卫刚 ;
石亮 .
中国专利 :CN120529632B ,2025-10-24
[10]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
田志 ;
梁启超 ;
邵华 ;
陈昊瑜 .
中国专利 :CN112397518B ,2024-02-27