具有低线电阻结构的超高密度薄膜晶体管基板及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511010019.5

申请日：

2015-12-29

公开(公告)号：

CN106356376A

公开(公告)日：

2017-01-25

发明(设计)人：

郑英敃申承焕徐大荣李素荣

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2177 G02F11362 G02F11368

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;董文国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-25	公开	公开
2019-05-17	授权	授权
2017-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101705798487 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2015110100195 申请日:20151229

共 50 条

[1]

薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法 [P].

郭喜荣 .

中国专利 :CN103033999A ,2013-04-10

[2]

薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法 [P].

李殷国 ;

金度贤 ;

郑敞午 ;

李制勋 ;

林淳权 .

中国专利 :CN101226901A ,2008-07-23

[3]

薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法 [P].

方国龙 ;

高逸群 ;

林欣桦 ;

施博理 ;

李志隆 .

中国专利 :CN106298523A ,2017-01-04

[4]

薄膜晶体管、像素结构及薄膜晶体管的制造方法 [P].

江丞伟 .

中国专利 :CN120379342A ,2025-07-25

[5]

薄膜晶体管阵列基板的制造方法 [P].

李俊峰 ;

李喜峰 .

中国专利 :CN100578760C ,2008-01-09

[6]

薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

徐铉植 ;

金峰澈 ;

金大元 .

中国专利 :CN103258743A ,2013-08-21

[7]

薄膜晶体管基板制造方法 [P].

林耀楠 .

中国专利 :CN101364572B ,2009-02-11

[8]

薄膜晶体管基板的制造方法 [P].

傅健忠 .

中国专利 :CN101043025A ,2007-09-26

[9]

薄膜晶体管基板的制造方法 [P].

安生健二 .

中国专利 :CN104253091A ,2014-12-31

[10]

薄膜晶体管基板的制造方法 [P].

金润熙 ;

姜镐民 .

中国专利 :CN101261961B ,2008-09-10

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