一种用于单面锗晶片的腐蚀方法

被引：0

申请号：

CN202210189280.X

申请日：

2022-03-01

公开(公告)号：

CN114262941B

公开(公告)日：

2022-04-01

发明(设计)人：

王元立陈美琳贺友华

申请人：

申请人地址：

101149 北京市通州区工业开发区东二街4号

IPC主分类号：

C30B3310

IPC分类号：

B24B100 C09K314 C30B2908

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 33/10 申请日:20220301
2022-04-01	公开	公开
2022-05-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种干法清洗锗晶片的方法 [P].

史铎鹏 ;

任殿胜 .

中国专利 :CN114335256B ,2022-04-12

[2]

一种用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液和精抛光方法 [P].

王元立 ;

贺友华 ;

陈美琳 .

中国专利 :CN114479674A ,2022-05-13

[3]

一种用于锗晶片的抛光液及其制备方法 [P].

仲跻和 .

中国专利 :CN101081965A ,2007-12-05

[4]

一种锗晶片的清洗方法 [P].

王金灵 ;

田玉莲 ;

吴倩 .

中国专利 :CN118455160A ,2024-08-09

[5]

一种锗晶片清洗水槽 [P].

杨春柳 ;

刘汉保 ;

赵磊 ;

郭建新 ;

吕欣泽 .

中国专利 :CN216420554U ,2022-05-03

[6]

一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片 [P].

杨红英 .

中国专利 :CN115070512B ,2024-04-26

[7]

一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片 [P].

杨红英 .

中国专利 :CN115070512A ,2022-09-20

[8]

一种腐蚀锗片的方法 [P].

顾小英 ;

赵青松 ;

牛晓东 ;

狄聚青 .

中国专利 :CN113174597B ,2021-07-27

[9]

一种锗晶片双面抛光的方法 [P].

宋志强 ;

刘兴达 ;

柯尊斌 ;

王卿伟 .

中国专利 :CN114800222A ,2022-07-29

[10]

一种切割锗初始晶片的方法 [P].

王元立 ;

洪庆福 ;

韩东 .

中国专利 :CN114530372B ,2024-08-02

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