功率半导体器件的高电压终止结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811139860.8

申请日：

2018-09-28

公开(公告)号：

CN109638075A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

V.尤内维奥纳克 P.C.布兰特 F.希莱 A.卢施泰克-佩赫洛夫 F.D.普菲尔施

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫西门子大街2号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29739 H01L2940 H01L21336 H01L21331

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

陈晓;申屠伟进

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-16	公开	公开
2020-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180928

共 50 条

[21]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

C·汉默 ;

M·穆勒 ;

W·莱纳特 .

中国专利 :CN115547821A ,2022-12-30

[22]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

A·菲利普 ;

T·阿诺德 ;

S·施密特 ;

F·J·尼德诺斯特海德 .

德国专利 :CN120129259A ,2025-06-10

[23]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

F·普菲尔施 ;

H-J·舒尔茨 ;

V·范特里克 .

德国专利 :CN119743963A ,2025-04-01

[24]

功率半导体器件 [P].

B.施托伊布 ;

H-J.舒尔策 ;

M.C.赛费尔特 .

中国专利 :CN110504304A ,2019-11-26

[25]

功率半导体器件 [P].

R.巴布尔斯克 ;

M.耶利内克 ;

F-J.尼德诺斯泰德 ;

F.D.普菲尔施 ;

C.P.桑多 ;

H-J.舒尔策 .

德国专利 :CN111326575B ,2025-05-13

[26]

功率半导体器件 [P].

R.巴布尔斯克 ;

M.耶利内克 ;

F-J.尼德诺斯泰德 ;

F.D.普菲尔施 ;

C.P.桑多 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN111326575A ,2020-06-23

[27]

功率半导体器件 [P].

斋藤涉 ;

小野升太郎 ;

薮崎宗久 ;

谷内俊治 ;

渡边美穗 .

中国专利 :CN102237409A ,2011-11-09

[28]

功率半导体器件 [P].

余开庆 ;

曾祥 ;

彭天智 ;

杨文敏 ;

张正 ;

李恬恬 .

中国专利 :CN119922962B ,2025-06-20

[29]

功率半导体器件 [P].

P·甘蒙 ;

C·W·陈 .

中国专利 :CN107548521A ,2018-01-05

[30]

功率半导体器件 [P].

T.巴斯勒 ;

M.比纳 ;

M.戴内泽 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN113972271A ,2022-01-25

← 1 2 3 4 5 →