功率半导体器件的高电压终止结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811139860.8

申请日：

2018-09-28

公开(公告)号：

CN109638075A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

V.尤内维奥纳克 P.C.布兰特 F.希莱 A.卢施泰克-佩赫洛夫 F.D.普菲尔施

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫西门子大街2号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29739 H01L2940 H01L21336 H01L21331

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

陈晓;申屠伟进

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-16	公开	公开
2020-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180928

共 50 条

[1]

功率半导体器件的高电压终止结构 [P].

E.格里布尔 ;

A.莫泽尔 ;

M.普法芬莱纳 ;

F.沃尔特 .

中国专利 :CN107978639A ,2018-05-01

[2]

功率半导体器件终止结构 [P].

J-G.鲍尔 ;

J.布兰登布格 ;

E.法尔克 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN107978640A ,2018-05-01

[3]

SiC上的高电压功率半导体器件 [P].

M·罗伯达 ;

G·钟 .

中国专利 :CN104246979A ,2014-12-24

[4]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

M·佩尔马尔 ;

A·莫德 .

德国专利 :CN121174536A ,2025-12-19

[5]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法和操作功率半导体器件的方法 [P].

F·J·桑托斯罗德里格斯 ;

R·巴伯斯克 ;

H-J·舒尔茨 ;

D·施洛格 .

德国专利 :CN117525135A ,2024-02-06

[6]

高速高功率半导体器件 [P].

Y·杜 ;

V·阿帕林 ;

R·吉尔摩 .

中国专利 :CN103380497A ,2013-10-30

[7]

半导体器件终止结构和制造半导体器件终止结构的方法 [P].

B·帕德玛纳伯翰 ;

P·文卡特拉曼 .

美国专利 :CN118891733A ,2024-11-01

[8]

高电压半导体器件 [P].

费利克斯·西蒙·温特雷尔 ;

克里斯蒂安·希佩尔 ;

迪尔克·普列费特 ;

安德烈·西德尔尼科夫 .

:CN119181715A ,2024-12-24

[9]

半导体结构及功率半导体器件 [P].

常东旭 ;

邓建军 ;

李雨衡 ;

陶政 ;

李龙涛 ;

王超 ;

胡磊 .

中国专利 :CN119008700A ,2024-11-22

[10]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

F·D·普菲尔施 ;

T·昆齐格 .

中国专利 :CN115602704A ,2023-01-13

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