功率半导体器件的高电压终止结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811139860.8

申请日：

2018-09-28

公开(公告)号：

CN109638075A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

V.尤内维奥纳克 P.C.布兰特 F.希莱 A.卢施泰克-佩赫洛夫 F.D.普菲尔施

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫西门子大街2号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29739 H01L2940 H01L21336 H01L21331

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

陈晓;申屠伟进

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-16	公开	公开
2020-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180928

共 50 条

[41]

功率半导体器件 [P].

余开庆 ;

曾祥 ;

彭天智 ;

杨文敏 ;

张正 ;

李恬恬 .

中国专利 :CN119922962A ,2025-05-02

[42]

具有高阻断电压能力的功率半导体器件 [P].

格哈德·施密特 .

中国专利 :CN102810566B ,2012-12-05

[43]

功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件 [P].

陈勇民 ;

陈芳林 ;

操国宏 ;

蒋谊 ;

徐焕新 ;

潘学军 ;

曾宏 ;

邹平 ;

孙永伟 .

中国专利 :CN114220850B ,2025-04-18

[44]

功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件 [P].

陈勇民 ;

陈芳林 ;

操国宏 ;

蒋谊 ;

徐焕新 ;

潘学军 ;

曾宏 ;

邹平 ;

孙永伟 .

中国专利 :CN114220850A ,2022-03-22

[45]

功率半导体器件布置和功率半导体器件模块 [P].

马丁·舒尔茨 .

中国专利 :CN118588701A ,2024-09-03

[46]

具有边缘终止结构的半导体器件 [P].

G.施密特 ;

E.法尔克 .

中国专利 :CN111834444A ,2020-10-27

[47]

用于功率半导体器件的接触结构 [P].

O·布兰克 .

中国专利 :CN113851440A ,2021-12-28

[48]

半导体器件的高电压发生器件 [P].

姜溁洙 .

中国专利 :CN101154440A ,2008-04-02

[49]

高电压半导体器件及其制造方法 [P].

金廷澔 .

中国专利 :CN101431027A ,2009-05-13

[50]

具有边缘终止结构的半导体器件 [P].

G.施密特 ;

E.法尔克 .

德国专利 :CN111834444B ,2024-10-18

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