形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710102284.5

申请日：

2007-05-09

公开(公告)号：

CN101071769A

公开(公告)日：

2007-11-14

发明(设计)人：

金柱然元皙俊金洛焕宋珉宇金元洪朴廷珉

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L213205 H01L21768

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

韩明星;常桂珍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-03-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101076733407 IPC(主分类):H01L 21/283 专利申请号:2007101022845 公开日:20071114
2007-11-14	公开	公开

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成铜配线的方法 [P].

表成奎 .

中国专利 :CN1168131C ,2001-08-15

[2]

半导体结构和形成半导体器件的方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

张正伟 .

中国专利 :CN114464617A ,2022-05-10

[3]

在半导体器件中形成铜配线的方法 [P].

表成奎 .

中国专利 :CN1308370A ,2001-08-15

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

张海洋 ;

何其暘 .

中国专利 :CN105870050B ,2016-08-17

[5]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

叶佳灵 ;

陈京玉 .

中国专利 :CN110660844A ,2020-01-07

[6]

制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法 [P].

里泰雄 ;

日野智公 ;

成井启修 .

中国专利 :CN1670917A ,2005-09-21

[7]

包括扩散阻挡膜的半导体器件的形成方法 [P].

崔庆寅 ;

崔吉铉 ;

李钟鸣 ;

洪琮沅 ;

李贤培 .

中国专利 :CN101431049A ,2009-05-13

[8]

形成半导体器件的方法 [P].

林秀姃 ;

张珉敬 ;

辛炫佑 ;

裴荣恩 ;

沈载桓 .

美国专利 :CN120236996A ,2025-07-01

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

王海平 ;

应成业 ;

陈佳 ;

陈宝卓 .

中国专利 :CN120127055A ,2025-06-10

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

何嘉玮 ;

徐俊伟 ;

沈稘翔 ;

刘启人 ;

林易生 ;

郑仰钧 ;

洪伟伦 ;

陈亮光 ;

陈科维 .

中国专利 :CN110970392B ,2020-04-07

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