在半导体器件中形成铜配线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00136108.2

申请日：

2000-12-22

公开(公告)号：

CN1308370A

公开(公告)日：

2001-08-15

发明(设计)人：

表成奎

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21283

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

武玉琴;朱登河

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101598341156 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL001361082 申请日:20001222 授权公告日:20040922 终止日期:20131222
2004-09-22	授权	授权
2003-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2001-08-15	公开	公开

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成铜配线的方法 [P].

表成奎 .

中国专利 :CN1168131C ,2001-08-15

[2]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

表成奎 ;

金宪度 .

中国专利 :CN1270413A ,2000-10-18

[3]

形成半导体器件的方法 [P].

金柱然 ;

元皙俊 ;

金洛焕 ;

宋珉宇 ;

金元洪 ;

朴廷珉 .

中国专利 :CN101071769A ,2007-11-14

[4]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

赵宏来 .

中国专利 :CN101770979A ,2010-07-07

[5]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

朴滢淳 ;

郭鲁正 ;

廉胜振 ;

柳春根 ;

郑钟九 ;

金成准 .

中国专利 :CN103107126A ,2013-05-15

[6]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

朴滢淳 ;

郭鲁正 ;

廉胜振 ;

柳春根 ;

郑钟九 ;

金成准 .

中国专利 :CN101807540A ,2010-08-18

[7]

在半导体器件中形成铜引线的方法 [P].

金是范 .

中国专利 :CN100353519C ,2004-02-04

[8]

在半导体器件中形成金属线的方法 [P].

金兑京 .

中国专利 :CN1617324A ,2005-05-18

[9]

在半导体器件中形成金属线的方法 [P].

郑星熙 .

中国专利 :CN101471287A ,2009-07-01

[10]

在半导体器件中形成金属线的方法 [P].

赵直镐 .

中国专利 :CN101246846A ,2008-08-20

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