在半导体器件中形成铜配线的方法

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专利类型
发明
申请号
CN00136108.2
申请日
2000-12-22
公开(公告)号
CN1308370A
公开(公告)日
2001-08-15
发明(设计)人
表成奎
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L21283
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
武玉琴;朱登河
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[21]
在半导体器件中形成微图案的方法 [P]. 
郑宇荣 ;
金钟勋 .
中国专利 :CN100416774C ,2007-03-21
[22]
在半导体器件中形成金属图案的方法 [P]. 
梁基洪 ;
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[23]
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金原圭 .
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李相彧 .
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杨罡 ;
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[27]
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[29]
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[30]
在半导体器件中形成微图案的方法 [P]. 
金原圭 .
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