在半导体器件中形成铜配线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00136108.2

申请日：

2000-12-22

公开(公告)号：

CN1308370A

公开(公告)日：

2001-08-15

发明(设计)人：

表成奎

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21283

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

武玉琴;朱登河

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101598341156 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL001361082 申请日:20001222 授权公告日:20040922 终止日期:20131222
2004-09-22	授权	授权
2003-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2001-08-15	公开	公开

共 50 条

[41]

在半导体器件中形成复合中心 [P].

A.宾特 ;

O.布兰克 ;

P.菲舍尔 ;

W.扬切 ;

R.K.约希 ;

K.佩科尔 ;

M.皮潘 ;

A.里格勒 ;

W.舒施特雷德 ;

J.施泰因布伦纳 ;

W.M.塞德 .

中国专利 :CN108231557A ,2018-06-29

[42]

在半导体器件中形成跳跃通孔结构的方法和半导体器件 [P].

C-C.杨 ;

L.A.克莱文杰 ;

B.A.安德森 ;

N.A.兰齐洛 .

中国专利 :CN110459502A ,2019-11-15

[43]

半导体器件中铜的电镀方法 [P].

刘艳吉 .

中国专利 :CN100590806C ,2009-02-11

[44]

在半导体器件中形成硬掩模图案的方法 [P].

金相民 ;

郑宇荣 ;

金最东 .

中国专利 :CN101303971A ,2008-11-12

[45]

在半导体器件中形成保护膜的方法 [P].

金善佑 ;

金民载 ;

辛东善 ;

孙容宣 ;

金正泰 .

中国专利 :CN1113398C ,1998-07-08

[46]

在半导体器件中形成着落塞接触的方法 [P].

崔益寿 ;

黄琩渊 ;

李洪求 .

中国专利 :CN1797738A ,2006-07-05

[47]

用于在半导体器件中形成隔离区的方法 [P].

玄祐硕 .

中国专利 :CN1822346B ,2006-08-23

[48]

用于在半导体器件中形成精细图案的方法 [P].

孔根圭 .

中国专利 :CN100552882C ,2008-07-02

[49]

用以在半导体器件中形成氧化膜的方法 [P].

申承佑 .

中国专利 :CN1661782A ,2005-08-31

[50]

半导体器件的制造方法、半导体器件以及配线基板 [P].

堀内章夫 ;

宫坂俊次 .

中国专利 :CN101515554A ,2009-08-26

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