包括扩散阻挡膜的半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810184264.1

申请日：

2008-05-04

公开(公告)号：

CN101431049A

公开(公告)日：

2009-05-13

发明(设计)人：

崔庆寅崔吉铉李钟鸣洪琮沅李贤培

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101063702242 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2008101842641 公开日:20090513
2009-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体膜的形成方法、半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

薮田久人 ;

加地信幸 ;

林享 .

中国专利 :CN102341912B ,2015-12-02

[2]

形成半导体器件的方法 [P].

金柱然 ;

元皙俊 ;

金洛焕 ;

宋珉宇 ;

金元洪 ;

朴廷珉 .

中国专利 :CN101071769A ,2007-11-14

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

王彦 .

中国专利 :CN106935503A ,2017-07-07

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

何其暘 ;

胡敏达 .

中国专利 :CN106952863A ,2017-07-14

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN102903667B ,2013-01-30

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

蔡嘉庆 ;

邱意为 ;

许立德 .

中国专利 :CN108807160B ,2018-11-13

[7]

氧化硅膜的形成方法、氧化硅膜、半导体器件、以及半导体器件的制造方法 [P].

上田博一 ;

田中义伸 ;

大泽佑介 ;

野沢俊久 ;

松冈孝明 .

中国专利 :CN102027580A ,2011-04-20

[8]

包括氧扩散阻挡的半导体器件及制造方法 [P].

H-J·舒尔策 ;

J·鲍姆加特尔 .

中国专利 :CN106356286B ,2017-01-25

[9]

半导体器件的阻挡层形成方法 [P].

许坤赐 ;

林竞尧 .

中国专利 :CN101452878A ,2009-06-10

[10]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

高健 ;

李天宇 ;

石俊 ;

殷然 ;

杨红心 ;

陈彬 .

中国专利 :CN121038288A ,2025-11-28

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