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超结半导体的自对准接触槽形成方法及超结半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410099445.3
申请日：
2024-01-24
公开(公告)号：
CN117637607A
公开(公告)日：
2024-03-01
发明(设计)人：
田俊
付振
张泉
肖超
尹强
张文敏
王悦
申请人：
北京智芯微电子科技有限公司
北京芯可鉴科技有限公司
申请人地址：
100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
IPC主分类号：
H01L21/768
IPC分类号：
H01L29/06
H01L29/78
H01L21/336
代理机构：
北京正砚知识产权代理有限公司 16161
代理人：
高敏
法律状态：
公开
国省代码：
北京市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-01 | 公开 | 公开 |
| 2024-12-20 | 发明专利申请公布后的驳回 | 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 21/768申请公布日:20240301 |
| 2024-03-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20240124 |