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图案化金属层的检测方法及其半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211144585.5
申请日：
2022-09-20
公开(公告)号：
CN117524899A
公开(公告)日：
2024-02-06
发明(设计)人：
锺光翔
申请人：
南茂科技股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号
IPC主分类号：
H01L21/66
IPC分类号：
H01L23/544
G01B21/00
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
刘芳;臧建明
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-02-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/66申请日:20220920 |
| 2024-02-06 | 公开 | 公开 |