用于硅的刻蚀设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420624994.3

申请日：

2024-03-29

公开(公告)号：

CN220856517U

公开(公告)日：

2024-04-26

发明(设计)人：

许国杰蒋依兵王震宇沈涛

申请人：

丹东锐芯微电子有限公司

申请人地址：

118000 辽宁省丹东市振兴区春二路47号S6#47-2-6号

IPC主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

代理机构：

辽宁汇申专利代理事务所(特殊普通合伙) 21227

代理人：

施勃丞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-26	授权	授权

共 50 条

[1]

用于刻蚀的晶圆承载组合件及刻蚀设备 [P].

黄瑞 ;

叶璘珂 ;

张德伟 ;

荆泉 ;

陈力钧 .

中国专利 :CN120767243A ,2025-10-10

[2]

一种用于刻蚀硅的反应离子刻蚀方法 [P].

崔在雄 ;

安东炫 ;

李柯奋 ;

吴万俊 .

中国专利 :CN101928941B ,2010-12-29

[3]

清洗装置及刻蚀设备 [P].

张照康 ;

秦嘉豪 .

中国专利 :CN223414043U ,2025-10-03

[4]

散流装置及刻蚀设备 [P].

黄体龙 .

中国专利 :CN223513906U ,2025-11-04

[5]

刻蚀设备用气体控制方法及刻蚀设备 [P].

林洋洋 .

中国专利 :CN120767222A ,2025-10-10

[6]

终点检测装置及刻蚀设备 [P].

张涛 ;

张彬彬 ;

苏财钰 ;

陈洋 ;

王鹏鹏 .

中国专利 :CN217983274U ,2022-12-06

[7]

一种用于干法刻蚀硅槽的方法 [P].

付智辉 ;

蒋方圆 ;

丁佳 ;

曹俊 ;

王毅 .

中国专利 :CN107895694A ,2018-04-10

[8]

半导体刻蚀设备和半导体刻蚀方法 [P].

王显亮 ;

孙文彬 .

中国专利 :CN118629920A ,2024-09-10

[9]

半导体刻蚀设备腔体内硅电极酸刻蚀清洗辅助治具 [P].

姚雪 ;

朱光宇 ;

王松朋 ;

李泓波 ;

贺贤汉 .

中国专利 :CN220371730U ,2024-01-23

[10]

传片切换装置及刻蚀设备 [P].

张邵杭 ;

屈文晶 .

中国专利 :CN223743616U ,2025-12-30

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