用于刻蚀的晶圆承载组合件及刻蚀设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510884877.X

申请日：

2025-06-28

公开(公告)号：

CN120767243A

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

黄瑞叶璘珂张德伟荆泉陈力钧

申请人：

华虹集成电路（成都）有限公司

申请人地址：

611730 四川省成都市高新区康胜路100号附1号

IPC主分类号：

H01L21/687

IPC分类号：

H01L21/67 H01J37/32

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

张子飞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	公开	公开
2025-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/687申请日:20250628

共 50 条

[1]

承载装置及晶圆刻蚀设备 [P].

王鹏 ;

赵庆 ;

苏伦 ;

尤伟芳 ;

雷妍琪 ;

魏思琪 .

中国专利 :CN118197982A ,2024-06-14

[2]

晶圆承载装置及刻蚀设备 [P].

周颖 ;

李明 ;

刘隆冬 .

中国专利 :CN212485291U ,2021-02-05

[3]

斜面刻蚀装置及晶圆刻蚀方法 [P].

戴绍龙 ;

肖正梨 ;

胡军 .

中国专利 :CN108666244A ,2018-10-16

[4]

晶圆刻蚀设备及刻蚀系统 [P].

鄢林升 .

中国专利 :CN223427456U ,2025-10-10

[5]

用于晶圆加工的刻蚀设备及刻蚀方法 [P].

朱焱均 ;

燕强 ;

赵大国 ;

王尧林 ;

刘康华 ;

李雨庭 .

中国专利 :CN115188692B ,2025-09-19

[6]

一种晶圆刻蚀设备及晶圆刻蚀方法 [P].

刘希飞 ;

刘家桦 ;

叶日铨 .

中国专利 :CN109473378A ,2019-03-15

[7]

超薄晶圆的背面刻蚀液及刻蚀方法 [P].

葛林四 ;

葛永恒 ;

吴士勇 ;

韩鹏帅 ;

葛威威 .

中国专利 :CN112410888B ,2021-02-26

[8]

刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备及优化晶圆刻蚀效果的方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112447547A ,2021-03-05

[9]

晶圆刻蚀设备 [P].

王兆丰 ;

范雄 ;

王世宽 ;

翟深圳 .

中国专利 :CN117238744B ,2024-03-01

[10]

晶圆刻蚀设备 [P].

周永平 ;

宋冬门 .

中国专利 :CN212570932U ,2021-02-19

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