一种芯片粘接结构热循环疲劳失效物理模型建模方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311660920.1

申请日：

2023-12-06

公开(公告)号：

CN117350138A

公开(公告)日：

2024-01-05

发明(设计)人：

苏昱太龙旭

申请人：

西北工业大学

申请人地址：

710072 陕西省西安市碑林区友谊西路127号

IPC主分类号：

G06F30/23

IPC分类号：

G16C60/00 G06F17/16 G06F111/10 G06F119/02 G06F119/04 G06F119/08

代理机构：

西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 61271

代理人：

陈选中

法律状态：

授权

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-23	授权	授权
2024-01-05	公开	公开
2024-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06F 30/23申请日:20231206

共 50 条

[1]

一种芯片粘接结构热循环疲劳失效物理模型建模方法 [P].

苏昱太 ;

龙旭 .

中国专利 :CN117350138B ,2024-02-23

[2]

一种基于连续损伤力学的微米烧结银芯片粘接层疲劳失效物理模型建模与验证方法 [P].

付桂翠 ;

郭文迪 ;

万博 .

中国专利 :CN112836342B ,2021-05-25

[3]

一种基于失效物理模型的多芯片组件可靠性分析方法 [P].

黄洪钟 ;

叶培莲 ;

李彦锋 ;

黄承赓 ;

彭卫文 ;

黄思思 ;

郭来小 .

中国专利 :CN107247845A ,2017-10-13

[4]

一种芯片粘接用框架结构 [P].

张永银 ;

穆云飞 ;

张金星 .

中国专利 :CN223612414U ,2025-11-28

[5]

一种半导体芯片粘接方法 [P].

孟腾飞 ;

徐浩 ;

贺强 ;

陈伟 ;

李丽 .

中国专利 :CN103928354B ,2014-07-16

[6]

一种网囊物理模型的建模方法 [P].

唐浩 ;

银利强 ;

张锋 .

中国专利 :CN114528667A ,2022-05-24

[7]

一种网囊物理模型的建模方法 [P].

唐浩 ;

银利强 ;

张锋 .

中国专利 :CN114528667B ,2024-10-11

[8]

一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法 [P].

叶雪荣 ;

郭子剑 ;

王辰一 ;

冯超 ;

周振宁 ;

张天翼 ;

陈岑 ;

陈昊 ;

郑伟 ;

高晓颖 ;

翟国富 .

中国专利 :CN119647381A ,2025-03-18

[9]

一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法 [P].

叶雪荣 ;

郭子剑 ;

王辰一 ;

冯超 ;

周振宁 ;

张天翼 ;

陈岑 ;

陈昊 ;

郑伟 ;

高晓颖 ;

翟国富 .

中国专利 :CN119647381B ,2025-11-04

[10]

一种芯片粘接器件的装置 [P].

蒋波 ;

李磊 ;

周筱卉 ;

黄永星 ;

毕军 .

中国专利 :CN211627388U ,2020-10-02

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