一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411726742.2

申请日：

2024-11-28

公开(公告)号：

CN119647381B

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

叶雪荣郭子剑王辰一冯超周振宁张天翼陈岑陈昊郑伟高晓颖翟国富

申请人：

哈尔滨工业大学

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

G06F30/367

IPC分类号：

G06F30/373 G06F119/14 G06F119/04

代理机构：

哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司 23213

代理人：

宋晓晓

法律状态：

公开

国省代码：

山东省威海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	公开	公开
2025-11-04	授权	授权
2025-04-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06F 30/367申请日:20241128

共 50 条

[1]

一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法 [P].

叶雪荣 ;

郭子剑 ;

王辰一 ;

冯超 ;

周振宁 ;

张天翼 ;

陈岑 ;

陈昊 ;

郑伟 ;

高晓颖 ;

翟国富 .

中国专利 :CN119647381A ,2025-03-18

[2]

MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备 [P].

叶雪荣 ;

郭子剑 ;

王辰一 ;

冯超 ;

林轩羽 ;

田济羽 ;

陈昊 ;

陈岑 ;

翟国富 .

中国专利 :CN119647380B ,2025-10-14

[3]

MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备 [P].

叶雪荣 ;

郭子剑 ;

王辰一 ;

冯超 ;

林轩羽 ;

田济羽 ;

陈昊 ;

陈岑 ;

翟国富 .

中国专利 :CN119647380A ,2025-03-18

[4]

基于失效物理和质量一致性的电磁继电器可靠性预计方法 [P].

邓杰 ;

刘晓涵 ;

陈昊 ;

翟国富 ;

唐伟 ;

康锐 .

中国专利 :CN115577556A ,2023-01-06

[5]

在分立的功率MOS场效应管集成传感场效应管的器件及方法 [P].

苏毅 ;

安荷·叭剌 .

中国专利 :CN102386182B ,2012-03-21

[6]

一种制造功率MOS场效应管的方法 [P].

理查德A·布兰查德 .

中国专利 :CN1230880C ,2003-07-30

[7]

一种低功耗mos场效应管 [P].

盛伟刚 ;

李捷 .

中国专利 :CN221149984U ,2024-06-14

[8]

一种半导体MOS场效应管 [P].

陈朱雄 ;

陈洁玲 .

中国专利 :CN217822746U ,2022-11-15

[9]

一种半导体MOS场效应管 [P].

覃德益 .

中国专利 :CN214898397U ,2021-11-26

[10]

一种低功耗MOS场效应管 [P].

余朝阳 .

中国专利 :CN216928555U ,2022-07-08

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