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一种GaN HEMT器件结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311524776.9
申请日：
2023-11-11
公开(公告)号：
CN117790559A
公开(公告)日：
2024-03-29
发明(设计)人：
黄明乐
鲁怀贤
申请人：
合肥仙湖半导体科技有限公司
申请人地址：
230000 安徽省合肥市高新区创新产业园一期B2-709室
IPC主分类号：
H01L29/778
IPC分类号：
H01L29/423
H01L29/06
H01L29/10
H01L21/335
H01L21/28
代理机构：
杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260
代理人：
姚宇吉
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省
常州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-29 | 公开 | 公开 |
| 2024-04-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20231111 |