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Ⅲ-Ⅴ族半导体发光器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410050767.9
申请日：
2024-01-12
公开(公告)号：
CN117878207A
公开(公告)日：
2024-04-12
发明(设计)人：
闫其昂
王国斌
申请人：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址：
215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
IPC主分类号：
H01L33/20
IPC分类号：
H01L33/00
代理机构：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人：
李志
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省
苏州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-04-12 | 公开 | 公开 |
| 2024-04-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/20申请日:20240112 |