Ⅲ-Ⅴ族半导体发光器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410050767.9

申请日：

2024-01-12

公开(公告)号：

CN117878207A

公开(公告)日：

2024-04-12

发明(设计)人：

闫其昂王国斌

申请人：

江苏第三代半导体研究院有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室

IPC主分类号：

H01L33/20

IPC分类号：

H01L33/00

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

李志

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-12	公开	公开
2024-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/20申请日:20240112

共 50 条

[1]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

林小坤 ;

邓顺达 ;

杨鸿志 ;

谢政璋 .

中国专利 :CN119816058A ,2025-04-11

[2]

III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

斋藤义树 ;

坊山美乡 .

中国专利 :CN105938863A ,2016-09-14

[3]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

岡俊行 ;

橘浩一 ;

彦坂年輝 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103943743A ,2014-07-23

[4]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

盐田伦也 ;

原田佳幸 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102169931A ,2011-08-31

[5]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

岡俊行 ;

橘浩一 ;

彦坂年輝 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194942A ,2011-09-21

[6]

第III 族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

丰田达宪 ;

柴田智彦 .

中国专利 :CN103140947A ,2013-06-05

[7]

第III族氮化物半导体发光器件的制造方法和第III族氮化物半导体发光器件 [P].

藤田武彦 ;

渡边康弘 .

中国专利 :CN107004744B ,2017-08-01

[8]

半导体发光器件和氮化物半导体发光器件 [P].

驹田聪 .

中国专利 :CN101276875B ,2008-10-01

[9]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

裴德圭 .

中国专利 :CN102347415A ,2012-02-08

[10]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

沈炫旭 ;

韩尚宪 ;

韩在雄 ;

申东澈 ;

金制远 ;

李东柱 .

中国专利 :CN103650175A ,2014-03-19

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