半导体离子薄膜材料的制备装置、方法及薄膜材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410204900.1

申请日：

2024-02-26

公开(公告)号：

CN117778979A

公开(公告)日：

2024-03-29

发明(设计)人：

李健储一平周聪刘浩

申请人：

芜湖新航薄膜科技有限公司

申请人地址：

241100 安徽省芜湖市湾沚区安徽新芜经济开发区蟠龙路5号

IPC主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/56

代理机构：

安徽韵凯盟知识产权代理事务所(普通合伙) 34248

代理人：

李顺

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省芜湖市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-29	公开	公开
2025-09-12	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):C23C 14/35变更事项:专利权人变更前:芜湖新航薄膜科技有限公司变更后:芜湖新航科技股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:241000 安徽省芜湖市湾沚区安徽新芜经济开发区蟠龙路5号变更后:241100 安徽省芜湖市湾沚区安徽新芜经济开发区蟠龙路5号
2024-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20240226
2024-04-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体离子薄膜材料的制备装置、方法及薄膜材料 [P].

李健 ;

储一平 ;

周聪 ;

刘浩 .

中国专利 :CN117778979B ,2024-04-30

[2]

半导体薄膜制备装置及制备方法 [P].

何元金 .

中国专利 :CN111218650A ,2020-06-02

[3]

用于碳化硅半导体薄膜材料的制备装置 [P].

袁纪文 ;

邓孟中 .

中国专利 :CN218249953U ,2023-01-10

[4]

基于纳米材料的半导体薄膜制备方法 [P].

段海平 .

中国专利 :CN120730869A ,2025-09-30

[5]

氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法 [P].

张志敏 .

中国专利 :CN106119923A ,2016-11-16

[6]

氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法 [P].

樊慧庆 ;

李强 ;

翟玉纯 .

中国专利 :CN102732928A ,2012-10-17

[7]

一种碳化硅半导体薄膜材料的制备装置 [P].

徐晶骥 ;

董国斌 ;

叶俊 .

中国专利 :CN218360269U ,2023-01-24

[8]

一种碳化硅半导体薄膜材料的制备装置 [P].

杨青春 ;

李明林 ;

蔡信伟 .

中国专利 :CN215517606U ,2022-01-14

[9]

一种半导体薄膜材料 [P].

郑之永 ;

谢致薇 ;

张雅丽 ;

杨元政 ;

许佳雄 .

中国专利 :CN107604333B ,2018-01-19

[10]

薄膜材料以及薄膜材料的制备方法 [P].

汪亚民 .

中国专利 :CN111072961B ,2020-04-28

← 1 2 3 4 5 →