半导体器件的焊盘制造方法及半导体器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010940263.6

申请日：

2020-09-09

公开(公告)号：

CN112201615B

公开(公告)日：

2024-04-19

发明(设计)人：

王永庆孟晓明宋冬门伍术华子群马瑞

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

代理机构：

北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479

代理人：

高园园

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的焊盘制造方法及半导体器件制造方法 [P].

王永庆 ;

孟晓明 ;

宋冬门 ;

伍术 ;

华子群 ;

马瑞 .

中国专利 :CN112201615A ,2021-01-08

[2]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

阿部真一郎 .

中国专利 :CN108735759A ,2018-11-02

[3]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

浅野佑次 ;

加藤盛央 .

中国专利 :CN1925136A ,2007-03-07

[4]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

浅野正义 ;

三谷纯一 .

中国专利 :CN102623489A ,2012-08-01

[5]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

荻田香 ;

田村友子 ;

丸山纯矢 ;

大力浩二 .

中国专利 :CN1873932A ,2006-12-06

[6]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

远藤佑太 .

中国专利 :CN102939659A ,2013-02-20

[7]

制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

D·莱萨切克 ;

J·希布尔 ;

D·波什图尔卡 ;

J·亚里娜 ;

V·亚尼里克 ;

A·申科娃 .

美国专利 :CN117637471A ,2024-03-01

[8]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

聂午阳 .

中国专利 :CN119890046A ,2025-04-25

[9]

半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置 [P].

早水勋 ;

立柳昌哉 .

中国专利 :CN101471537B ,2009-07-01

[10]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

黛哲 .

中国专利 :CN101996874B ,2011-03-30

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