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半导体器件的制备方法及半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411947411.1
申请日：
2024-12-26
公开(公告)号：
CN119890046A
公开(公告)日：
2025-04-25
发明(设计)人：
聂午阳
申请人：
杭州富芯半导体有限公司
申请人地址：
311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号（滨富合作区）
IPC主分类号：
H01L21/48
IPC分类号：
H01L23/498
H01L21/67
代理机构：
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人：
方秀琴
法律状态：
公开
国省代码：
浙江省
杭州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-04-25 | 公开 | 公开 |
| 2025-05-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/48申请日:20241226 |