半导体模块和用于制造半导体模块的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310961579.7

申请日：

2023-08-01

公开(公告)号：

CN117500156A

公开(公告)日：

2024-02-02

发明(设计)人：

R·R·乌戈尔 D·施莱瑟

申请人：

英飞凌科技股份有限公司

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H05K1/18

IPC分类号：

H05K1/02 H05K3/00 H05K3/30 H01L23/367 H01L21/50

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

周家新

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-02	公开	公开
2025-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H05K 1/18申请日:20230801

共 50 条

[1]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

R·诺特尔曼 ;

A·阿伦斯 ;

M·埃布利 ;

A·赫布兰特 ;

U·M·G·施瓦策尔 ;

A·塔克卡奇 .

中国专利 :CN113903727A ,2022-01-07

[2]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

中村瑶子 ;

岩谷昭彦 ;

齐藤麻衣 ;

渡壁翼 .

日本专利 :CN119096365A ,2024-12-06

[3]

半导体模块和半导体模块制造方法 [P].

新开次郎 .

中国专利 :CN104350594A ,2015-02-11

[4]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

A·阿伦斯 ;

J·赫格尔 ;

M·霍伊 .

中国专利 :CN104517952B ,2015-04-15

[5]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

加藤辽一 .

中国专利 :CN115527953A ,2022-12-27

[6]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

小松康佑 .

日本专利 :CN119314962A ,2025-01-14

[7]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

浅野大造 .

中国专利 :CN115541042A ,2022-12-30

[8]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

加藤辽一 ;

池田良成 ;

西泽龙男 ;

堀元人 ;

望月英司 .

中国专利 :CN113224015A ,2021-08-06

[9]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

堀尾真史 ;

西泽龙男 ;

望月英司 ;

丸山力宏 .

中国专利 :CN101335263A ,2008-12-31

[10]

半导体模块和半导体模块的制造方法 [P].

井上大辅 .

日本专利 :CN119008534A ,2024-11-22

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