用于等离子体处理的均匀性控制

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280051439.X

申请日：

2022-04-27

公开(公告)号：

CN117678049A

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

弗拉基米尔·纳戈尔尼雷内·乔治

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

G06N3/09

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;吴启超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	公开	公开
2024-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/32申请日:20220427

共 50 条

[1]

用于均匀等离子体处理的喷嘴 [P].

R·米什拉 ;

S·S·C·R·巴海瑟帝 ;

E·S·白 ;

S·斯如纳乌卡拉苏 ;

S·瓦亚布朗 ;

C·孙 .

中国专利 :CN109637922A ,2019-04-16

[2]

用于均匀等离子体处理的喷嘴 [P].

R·米什拉 ;

S·S·C·R·巴海瑟帝 ;

E·S·白 ;

S·斯如纳乌卡拉苏 ;

S·瓦亚布朗 ;

C·孙 .

中国专利 :CN106575597B ,2017-04-19

[3]

用于等离子体处理中均匀性控制的锥形上电极 [P].

陈志刚 ;

阿列克谢·马拉霍塔诺夫 ;

约翰·帕特里克·霍兰德 ;

普拉提克·雅各布·曼凯地 ;

安东尼·德拉·列拉 ;

哈利·金姆 ;

沈亨柱 .

中国专利 :CN110277293A ,2019-09-24

[4]

等离子体处理装置和等离子体控制方法 [P].

輿水地盐 ;

传宝一树 .

中国专利 :CN102376521A ,2012-03-14

[5]

等离子体处理装置的控制方法和等离子体处理装置 [P].

冈信介 .

中国专利 :CN100576966C ,2007-02-14

[6]

控制等离子体处理装置的方法和等离子体处理装置 [P].

辻本宏 ;

户花敏胜 .

中国专利 :CN110085502A ,2019-08-02

[7]

控制等离子体处理装置的方法和等离子体处理装置 [P].

张爱仙 ;

李贞焕 ;

裵珉槿 .

韩国专利 :CN117594406A ,2024-02-23

[8]

等离子体处理装置和等离子体处理装置的控制方法 [P].

冈信介 .

中国专利 :CN101005031A ,2007-07-25

[9]

等离子体处理装置及等离子体处理装置的控制方法 [P].

藤原将喜 ;

东大介 ;

酒井敏彦 .

日本专利 :CN120476673A ,2025-08-12

[10]

等离子体处理装置和等离子体处理装置的控制方法 [P].

佐藤亮 ;

佐佐木芳彦 ;

东条利洋 .

中国专利 :CN106252190B ,2016-12-21

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