酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜[ja]

被引:0
申请号
JP20170545433
申请日
2017-04-26
公开(公告)号
JP6266853B1
公开(公告)日
2018-01-24
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C04B35/01
IPC分类号
C23C14/34
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
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スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023041776A ,2023-03-24
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酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019031105A1 ,2020-07-09
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