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酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170545433
申请日
:
2017-04-26
公开(公告)号
:
JP6266853B1
公开(公告)日
:
2018-01-24
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C04B35/01
IPC分类号
:
C23C14/34
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[21]
酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび酸化物薄膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019131876A1
,2020-12-10
[22]
酸化物スパッタリングターゲット及び酸化物膜[ja]
[P].
日本专利
:JP7761813B2
,2025-10-28
[23]
スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP7218481B2
,2023-02-06
[24]
スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP7550893B2
,2024-09-13
[25]
スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP2023041776A
,2023-03-24
[26]
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019031105A1
,2020-07-09
[27]
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP5750065B2
,2015-07-15
[28]
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP5883368B2
,2016-03-15
[29]
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP7086080B2
,2022-06-17
[30]
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP5750064B2
,2015-07-15
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