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酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170545433
申请日
:
2017-04-26
公开(公告)号
:
JP6266853B1
公开(公告)日
:
2018-01-24
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C04B35/01
IPC分类号
:
C23C14/34
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[41]
酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6293359B2
,2018-03-14
[42]
酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP5884001B1
,2016-03-15
[43]
酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、スパッタリングターゲット用酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び電子機器[ja]
[P].
日本专利
:JP6902090B2
,2021-07-14
[44]
酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜[ja]
[P].
日本专利
:JP7203088B2
,2023-01-12
[45]
酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019187269A1
,2021-04-08
[46]
酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び導電性酸化物薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5876172B1
,2016-03-02
[47]
スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜及び半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP5775900B2
,2015-09-09
[48]
スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜及び半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008114588A1
,2010-07-01
[49]
IGZO焼結体、及びスパッタリングターゲット並びに酸化物膜[ja]
[P].
日本专利
:JP5998712B2
,2016-09-28
[50]
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020170950A1
,2021-12-23
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