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スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜及び半導体デバイス[ja]
被引:0
申请号
:
JP20130080129
申请日
:
2013-04-08
公开(公告)号
:
JP5775900B2
公开(公告)日
:
2015-09-09
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
C23C14/34
H01L21/20
H01L21/336
H01L21/363
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜及び半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008114588A1
,2010-07-01
[2]
スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP7550893B2
,2024-09-13
[3]
スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP2023041776A
,2023-03-24
[4]
スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP7218481B2
,2023-02-06
[5]
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017188299A1
,2018-05-10
[6]
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜[ja]
[P].
日本专利
:JP6266853B1
,2018-01-24
[7]
薄膜トランジスタ、酸化物半導体膜及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017090584A1
,2018-09-13
[8]
薄膜トランジスタ、酸化物半導体膜及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6613314B2
,2019-11-27
[9]
酸化物型半導体材料及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP5881681B2
,2016-03-09
[10]
酸化物型半導体材料及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012141066A1
,2014-07-28
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