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半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20120511481
申请日
:
2011-05-23
公开(公告)号
:
JPWO2012160632A1
公开(公告)日
:
2014-07-31
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/316
IPC分类号
:
H01L21/329
H01L29/861
H01L29/868
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014155739A1
,2017-02-16
[2]
半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012160631A1
,2014-07-31
[3]
半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012160704A1
,2014-07-31
[4]
半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5631497B1
,2014-11-26
[5]
半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006109506A1
,2008-10-23
[6]
液状半導体用接着剤組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011058998A1
,2013-04-04
[7]
半導体装置及び半導体素子保護用材料[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017030126A1
,2017-08-17
[8]
半導体用シール組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010137711A1
,2012-11-15
[9]
半導体装置の製造方法および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015005275A1
,2017-03-02
[10]
半導体装置、半導体装置の製造方法及びプラズマCVD用ガス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005017991A1
,2007-10-04
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