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半導体装置、ショットキバリアダイオード、電子装置、および半導体装置の製造方法[ja]
被引：0
申请号：
JP20100543987
申请日：
2009-11-26
公开(公告)号：
JPWO2010073871A1
公开(公告)日：
2012-06-14
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L29/47
IPC分类号：
H01L29/872
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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