金属酸化物半導体の製造方法およびこれを用い作製された酸化物半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタ[ja]

被引：0

申请号：

JP20090530105

申请日：

2008-08-25

公开(公告)号：

JPWO2009028452A1

公开(公告)日：

2010-12-02

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/205

IPC分类号：

C01B13/14 C01B13/32 C01G15/00 C01G19/00 H01L29/786

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共 50 条

[1]

金属酸化物半導体薄膜の製造方法、これを用いた薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009031423A1 ,2010-12-09

[2]

酸化物半導体薄膜、酸化物半導体薄膜の製造方法及びそれを用いた薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017150115A1 ,2018-12-27

[3]

金属酸化物半導体の製造方法、金属酸化物半導体および薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP5640323B2 ,2014-12-17

[4]

酸化物半導体薄膜の製造方法および該製造方法により作製された酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ、並びに薄膜トランジスタを備えた装置[ja] [P].

日本专利 :JP5679417B2 ,2015-03-04

[5]

酸化物半導体薄膜トランジスタ用基板およびその基板を用いた半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP5936568B2 ,2016-06-22

[6]

酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5724157B2 ,2015-05-27

[7]

金属酸化物半導体層形成用組成物及びそれを用いた金属酸化物半導体層の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016010052A1 ,2017-07-06

[8]

金属酸化物半導体層形成用組成物及びそれを用いた金属酸化物半導体層の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6819896B2 ,2021-01-27

[9]

金属酸化物半導体薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6426177B2 ,2018-11-21

[10]

酸化物半導体ターゲットおよび酸化物半導体材料、並びにそれらを用いた半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5983163B2 ,2016-08-31

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