電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金[ja]

被引：0

申请号：

JP20090509224

申请日：

2008-03-28

公开(公告)号：

JPWO2008123433A1

公开(公告)日：

2010-07-15

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C22C9/06

IPC分类号：

C22C9/00 C22C9/01 C22C9/02 C22C9/04 C22C9/05 C22C9/10 C22F1/08 H01B1/02 H01B5/02 H01L23/50

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011125153A1 ,2013-07-08

[2]

電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金[ja] [P].

日本专利 :JP5654571B2 ,2015-01-14

[3]

電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金[ja] [P].

日本专利 :JP6222885B2 ,2017-11-01

[4]

電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金、Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6205105B2 ,2017-09-27

[5]

電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011036804A1 ,2013-02-14

[6]

電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009041197A1 ,2011-01-20

[7]

電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金条及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5623960B2 ,2014-11-12

[8]

電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010064547A1 ,2012-05-10

[9]

Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6246454B2 ,2017-12-13

[10]

導電性と曲げ性を改善したＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010126046A1 ,2012-11-01

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