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半導体素子用洗浄液及びそれを用いた洗浄方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20140551069
申请日
:
2013-11-29
公开(公告)号
:
JPWO2014087925A1
公开(公告)日
:
2017-01-05
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/304
IPC分类号
:
C11D7/26
C11D7/32
C11D7/36
C11D7/38
C11D17/08
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体素子の洗浄液及び洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015166826A1
,2017-04-20
[2]
半導体素子を洗浄するためのアルカリ土類金属を含む洗浄液、およびそれを用いた半導体素子の洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016076034A1
,2017-08-24
[3]
半導体素子の洗浄用液体組成物、および半導体素子の洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5835534B1
,2015-12-24
[4]
半導体素子の洗浄用液体組成物、および半導体素子の洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015156171A1
,2017-04-13
[5]
半導体装置の洗浄方法、半導体装置の洗浄設備及び半導体洗浄用組成物[ja]
[P].
日本专利
:JP2025146774A
,2025-10-03
[6]
半導体素子の洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009147948A1
,2011-10-27
[7]
洗浄用液体組成物、半導体素子の洗浄方法、および半導体素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013187313A1
,2016-02-04
[8]
半導体デバイス用基板の洗浄方法及び洗浄液[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009072529A1
,2011-04-28
[9]
コバルトのダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016076033A1
,2017-08-24
[10]
殺菌及び洗浄用組成物、その製造方法、及びそれを用いた殺菌及び洗浄方法[ja]
[P].
SUGIMOTO KAZUSHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MITSUBISHI GAS CHEMICAL CO
MITSUBISHI GAS CHEMICAL CO
SUGIMOTO KAZUSHI
;
SATO SHUGO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MITSUBISHI GAS CHEMICAL CO
MITSUBISHI GAS CHEMICAL CO
SATO SHUGO
;
INNAMI SUSUMU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MITSUBISHI GAS CHEMICAL CO
MITSUBISHI GAS CHEMICAL CO
INNAMI SUSUMU
;
KIMIZUKA KENICHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MITSUBISHI GAS CHEMICAL CO
MITSUBISHI GAS CHEMICAL CO
KIMIZUKA KENICHI
.
日本专利
:JP2024119992A
,2024-09-03
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