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洗浄用液体組成物、半導体素子の洗浄方法、および半導体素子の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20140521296
申请日
:
2013-06-06
公开(公告)号
:
JPWO2013187313A1
公开(公告)日
:
2016-02-04
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/304
IPC分类号
:
C11D1/62
C11D3/04
C11D3/20
C11D3/26
C11D3/28
C11D3/34
C11D3/43
C11D17/08
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体素子の洗浄用液体組成物、および半導体素子の洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5835534B1
,2015-12-24
[2]
半導体素子の洗浄用液体組成物、および半導体素子の洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015156171A1
,2017-04-13
[3]
洗浄用組成物、半導体素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008114616A1
,2010-07-01
[4]
半導体素子の洗浄液及び洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015166826A1
,2017-04-20
[5]
半導体装置の洗浄方法、半導体装置の洗浄設備及び半導体洗浄用組成物[ja]
[P].
日本专利
:JP2025146774A
,2025-10-03
[6]
半導体基板の洗浄方法、及び半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014077370A1
,2017-01-05
[7]
基板、基板の製造方法、半導体素子および半導体素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011021715A1
,2013-01-24
[8]
半導体薄膜、半導体薄膜の製造方法、および、半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008139860A1
,2010-07-29
[9]
半導体構造体の剥離および洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025506486A
,2025-03-11
[10]
酸化物半導体素子及び酸化物半導体素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7173070B2
,2022-11-16
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