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洗浄用組成物、半導体素子の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20090505127
申请日
:
2008-03-06
公开(公告)号
:
JPWO2008114616A1
公开(公告)日
:
2010-07-01
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/027
IPC分类号
:
G03F7/42
H01L21/304
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体素子の洗浄用液体組成物、および半導体素子の洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5835534B1
,2015-12-24
[2]
半導体素子の洗浄用液体組成物、および半導体素子の洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015156171A1
,2017-04-13
[3]
洗浄用液体組成物、半導体素子の洗浄方法、および半導体素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013187313A1
,2016-02-04
[4]
半導体装置の洗浄方法、半導体装置の洗浄設備及び半導体洗浄用組成物[ja]
[P].
日本专利
:JP2025146774A
,2025-10-03
[5]
半導体素子の洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009147948A1
,2011-10-27
[6]
半導体素子の洗浄液及び洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015166826A1
,2017-04-20
[7]
半導体用洗浄剤組成物[ja]
[P].
HARIKAE SONKO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
NIPPON CATALYTIC CHEM IND
NIPPON CATALYTIC CHEM IND
HARIKAE SONKO
.
日本专利
:JP2024015581A
,2024-02-06
[8]
半導体基板の洗浄方法、及び半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014077370A1
,2017-01-05
[9]
洗浄用組成物及びCMP後の半導体ウエハーの洗浄方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2018507540A
,2018-03-15
[10]
洗浄用組成物[ja]
[P].
日本专利
:JP2018501363A
,2018-01-18
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