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隣接機構間に導電性パイプを形成する方法及び隣接機構間に導電性パイプを有する集積アセンブリ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220568754
申请日
:
2021-03-12
公开(公告)号
:
JP2023525324A
公开(公告)日
:
2023-06-15
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/3205
IPC分类号
:
H01L21/82
H01L21/822
H01L21/8238
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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共 50 条
[41]
マルチメモリダイを含む半導体パッケージに関連する方法及び配置[ja]
[P].
日本专利
:JP2015527736A
,2015-09-17
[42]
気密封止筐体を有する二次バッテリセル、電極アセンブリ及び方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024528624A
,2024-07-30
[43]
金属粒子を含む導電性の水遮断材料、光ケーブル及びそれを含む光ケーブルを構成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2017504150A
,2017-02-02
[44]
メモリセルのストリングを含むメモリアレイ、及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024543564A
,2024-11-21
[45]
メモリセルのストリングを含むメモリアレイ及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023527517A
,2023-06-29
[46]
メモリセルのストリングを含むメモリアレイ、及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024531173A
,2024-08-29
[47]
ペロブスカイト様構造を有する有機-無機金属-ハロゲン化物化合物の半導体膜の生産方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022541992A
,2022-09-29
[48]
ヘテロ構造に基づく電子部品を集積して、機械的応力を低減した半導体電子デバイス[ja]
[P].
RICCARDO DEPETRO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
ST MICROELECTRONICS INT NV
ST MICROELECTRONICS INT NV
RICCARDO DEPETRO
.
日本专利
:JP2025023903A
,2025-02-19
[49]
カード、アセンブリ、カードを組み立てる方法、及び情報をアウトプットする方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2016524773A
,2016-08-18
[50]
有機光電変換素子、ならびにそれを用いた太陽電池及び光センサアレイ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013073581A1
,2015-04-02
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