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隣接機構間に導電性パイプを形成する方法及び隣接機構間に導電性パイプを有する集積アセンブリ[ja]

被引：0
申请号：
JP20220568754
申请日：
2021-03-12
公开(公告)号：
JP2023525324A
公开(公告)日：
2023-06-15
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/3205
IPC分类号：
H01L21/82 H01L21/822 H01L21/8238
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[21]
細長体を有する導電性素子のアレイを具えるマイクロ・ナノスケールキャパシタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015514315A ,2015-05-18
[22]
インダクタ及び電磁シールドを有する堆積リアクタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022504358A ,2022-01-13
[23]
半導体材料、導電性層にキャリアを生じさせる方法、熱電変換素子、及びスイッチング素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP6744609B2 ,2020-08-26
[24]
半導体材料、導電性層にキャリアを生じさせる方法、熱電変換素子、及びスイッチング素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017065306A1 ,2018-09-20
[25]
高い熱伝導率を有するリチウムイオンセル用セパレータ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023549253A ,2023-11-22
[26]
誘電体材料上に２つの電極を接続する半導体材料で作られたナノワイヤを成長する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5758123B2 ,2015-08-05
[27]
優れた耐金属イオン移動性を達成する導電性ポリマー層を備える固体電解コンデンサ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022543217A ,2022-10-11
[28]
周期的堆積プロセスによって基材の誘電体表面上にモリブデン金属膜を堆積させる方法および関連する半導体デバイス構造[ja] [P]. 
BHUSHAN ZOPE ;
SHANKAR SWAMINATHAN ;
KIRAN SHRESTHA ;
ZHU CHIYU ;
HENRI TUOMAS ANTERO JUSSILA ;
XIE QI .
日本专利 :JP2024161046A ,2024-11-15
[29]
腐食抑制機構を含むマイクロ電子デバイス並びに関連する電子システム及び方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023511287A ,2023-03-17
[30]
効率を改善するように構成された低バンドギャップ活性層を有する光活性デバイス及び関連する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2016509376A ,2016-03-24
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