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共有接合半導体インターフェース[ja]
被引:0
申请号
:
JP20210520479
申请日
:
2019-06-24
公开(公告)号
:
JP2021528870A
公开(公告)日
:
2021-10-21
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/02
IPC分类号
:
H01L21/304
H01L21/677
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
インバータ回路、半導体装置[ja]
[P].
KATO KIYOSHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
KATO KIYOSHI
.
日本专利
:JP2023162321A
,2023-11-08
[2]
インバータ回路、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2022180572A
,2022-12-06
[3]
インバータ回路、半導体装置[ja]
[P].
KATO KIYOSHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
KATO KIYOSHI
.
日本专利
:JP2025108613A
,2025-07-23
[4]
パワー半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2018511163A
,2018-04-19
[5]
フィン型半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2016516302A
,2016-06-02
[6]
スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜及び半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP5775900B2
,2015-09-09
[7]
スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜及び半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008114588A1
,2010-07-01
[8]
ゲートインターフェース工学のための新規方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022550561A
,2022-12-02
[9]
半導体レーザ[ja]
[P].
日本专利
:JP2018527756A
,2018-09-20
[10]
トランジスタ、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6460614B1
,2019-01-30
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